Details

Title: Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.07
Creators: Сафонов Кирилл Леонидович
Scientific adviser: Трушин Ю. В.
Organization: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Imprint: СПб., 2009
Collection: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Subjects: Наноструктурные материалы; Полупроводники — Кристаллы - Получение; компьютерное моделирование
UDC: 620.22-022.53(043.3); 538.911(043.3); 004.94(043.3)
Document type: Author's Abstract
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (OKSVNK): 01.04.07
Speciality group (OKSVNK): 010000 - Физико-математические науки
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\15811

Allowed Actions: Read Download (364 Kb)

Group: Anonymous

Network: Internet

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Usage statistics

stat Access count: 944
Last 30 days: 17
Detailed usage statistics