Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.07

Детальная информация

	Таблица	Карточка	RUSMARC

Название:	Исследование зарождения и роста нанокластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии в системах SiC/Si, Ge/Si, InAs/GaAs методом компьютерного моделирования: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.07
Авторы:	Сафонов Кирилл Леонидович
Научный руководитель:	Трушин Ю. В.
Организация:	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения:	СПб., 2009
Коллекция:	Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Тематика:	Наноструктурные материалы; Полупроводники — Кристаллы - Получение; компьютерное моделирование
УДК:	620.22-022.53(043.3); 538.911(043.3); 004.94(043.3)
Тип документа:	Автореферат
Тип файла:	PDF
Язык:	Русский
Код специальности ОКСВНК:	01.04.07
Группа специальностей ОКСВНК:	010000 - Физико-математические науки
Права доступа:	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи:	RU\SPSTU\edoc\15811

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (364 Кб)

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

	Место доступа		Группа пользователей		Действие
	Локальная сеть ИБК СПбПУ		Все
	Интернет		Все

Количество обращений: 944
За последние 30 дней: 17
Подробная статистика