Ионов, Леонид Эдуардович. Влияние конструкции барьерного слоя на электрофизические параметры транзисторных гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом МЛЭ [Электронный ресурс]: магистерская диссертация / Л.Э. Ионов; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,64 Мб). — Санкт-Петербург, 2014. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/4371.pdf>.