Details

Никольский, Игорь Евгеньевич. Продольная фотопроводимость в структурах Ge/Si с квантовыми точками [Электронный ресурс]: магистерская диссертация / И.Е. Никольский; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,48 Мб). — Санкт-Петербург, 2014. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/4373.pdf>.

Record create date: 7/11/2014

Subject: Полупроводниковые структуры; Полупроводники — Фотоэлектрические свойства

UDC: 537.311.322:535.215(043.3)

Collections: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Allowed Actions: Read Download (1.5 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В настоящей диссертации проводились исследования оптических свойств образцов структур Ge/Si с квантовыми точками. Были получены спектры фотоиндуцированной фотопроводимости для разных уровней легирования, при разных температурах и при разных мощностях возбуждающего излучения. Проведено сравнение этих спектров со спектрами межзонного поглощения в аналогичных образцах. Полученные спектры были описаны, их особенности - теоретически обоснованы. Данное исследование проводилось впервые. Результаты работы могут быть полезны при разработке эффективных ИК-детекторов среднего и ближнего диапазона.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Document usage statistics

stat Document access count: 378
Last 30 days: 2
Detailed usage statistics