Card | Table | RUSMARC | |
Чучвага, Николай Алексеевич. Исследование влияния облучения тяжелыми ионами высоких энергий на свойства карбида кремния [Электронный ресурс]: магистерская диссертация / Н.А. Чучвага; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 2 Мб). — Санкт-Петербург, 2014. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/4375.pdf>.Record create date: 7/11/2014 Subject: Кремний, карбиды; Шоттки барьер; Полупроводники — Действие ионизирующих излучений UDC: 537.311.322:539.16(043.3) Collections: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция Allowed Actions: Read Download (2.0 Mb) You need Flash Player to read document Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
В работе исследовались структуры с барьерами Шоттки (БШ), сформированными термовакуумным напылением Cr на С грани кристаллов 6H-SiC с концентрацией Nd - Na = 2х1018 см-3. Точечные базовые контакты на Si грани кристаллов изготавливались напылением Cr/Al. Структуры облучались ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсами 4х109-7 х1011 см-2 при температуре 300 К в одинаковых режимах как со стороны БШ, так и базовых контактов. Распределение радиационных дефектов по глубине образцов исследовалось на сколе кристаллов методом локальной катодолюминесценции (ЛКЛ). Исследовались ВФХ и ВАХ характеристики БШ. Впервые для SiC электрическими методиками был выявлен эффект глубокого проникновения радиационных дефектов на глубину, превышающую в несколько десятков раз пробег ионов Хе. Было выявлено, что в начале пробега ионов Хе образуются радиационные дефекты акцепторного типа. Однако в конце пробега ионов Хе образуются радиационные дефекты донорного типа.
Document usage statistics
|
Document access count: 710
Last 30 days: 15 Detailed usage statistics |