В магистерской диссертации были исследованы оптические свойства структур с туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле. Были описаны процессы роста и постростовой технологии исследуемых образцов, а также использовавшаяся экспериментальная установка. Приведены полученные результаты спектров модуляции поглощения света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при изменении температуры решетки и при приложении внешнего поперечного электрического поля.