Работа посвящена исследованию халькогенидных широкозонных полупроводников As₂S₃, активированных фторидам редкоземельных элементов. В работе проанализированы спектральные свойства стекол в инфракрасном и видимом диапазоне длин волн, сделаны выводы о структуре стекла и о существующих примесях, разработаны методики подавления полос поглощения в среднем ИК диапазоне. Проведены исследования рамановского рассеяния, продемонстрировано рамановское смещение полосы с максимумом на 337 см{-1}, связанное с увеличением длины связи мостиков As-S-As. Продемонстрирована концентрационная по активатору зависимость интенсивности люминесценции европия и эрбия. Сделаны выводы о структуре люминесцентных центров.