В диссертации на соискание ученой степени магистра рассматривается поведение коэффициента термоэдс в системе La2-xSrxCuOy. Был проведен анализ применимости различных моделей электронного транспорта к описанию экспериментальных температурных зависимостей коэффициента термоэдс в данной системе в образцах с изменяющимся в широком диапазоне содержанием стронция и моделирование зависимостей S(T) в рамках трех рассмотренных моделей. Рассчитаны значения параметров используемых моделей в образцах различных составов. Проведено сравнение результатов, полученных в рамках выбранных моделей, выявлены схожие по физическому смыслу параметры различных моделей и проанализирован характер их изменения с ростом содержания стронция. В заключение рассмотрен возможный физический механизм модификации энергетического спектра в системе La2-xSrxCuOy с ростом содержания стронция. Сделан вывод, что в underdoped режиме легирования происходит формирования новой узкой зоны внутри диэлектрической щели, а в overdoped режиме легирования происходит разрушения этой зоны, вызванное ростом степени разупорядочения в системе.

The thesis for the master's degree considers the behavior of the thermoelectric power in the La2-xSrxCuOy system under different models of electron transport. We analyzed the applicability of different models of the electron transport to description of the experimental temperature dependence of the Seebeck coefficient in the La2-xSrxCuOy system for samples with a strontium content varied in a wide range. Also we simulated the S(T) dependences in the framework of three considered models. The values of the parameters of the models used in samples of different compositions are calculated. We compared the results obtained in the framework of chosen models, revealed the parameters of different models having a similar physical meaning, and analyzed the character of their variations with increasing strontium content. Finally, the possible physical mechanism of the modification of the La2-xSrxCuOy energy spectrum with increasing strontium content is considered. We concluded that a new narrow band inside the insulating gap is formed in the underdoped regime, while in the overdoped regime this band is destroyed due to increasing degree of the system disordering.