В ходе работы подробно изучены разновидности цифровых плоскопанельных детекторов; особое внимание уделено детекторам на базе аморфного кремния. Описаны основные преимущества данных систем, а также физические процессы, происходящие в детекторах. Определены способы оптимизации режимов работы цифровых плоскопанельных детекторов на базе аморфного кремния. Измерены основные параметры, определяющие качество изображения, произведен расчет необходимых параметров и коэффициентов, определены аппроксимационные формулы для расчета основных соотношений, а так же построены экспериментальные и расчетные зависимости для величины интенсивности сигнала и соотношений сигнал/шум и контраст/шум.

In this work various types of flat panel digital detectors are studied in detail. Particular attention is paid to detectors based on amorphous silicon. Main benefits of these systems as well as the physical processes occurring in the detectors are described. A technique of the experiments performing is defined and ways of mode optimization for digital flat panel detectors based on amorphous silicon are described. Basic parameters that define the quality of image are measured, main parameters and coefficients are calculated. Approximation formulas for the calculation of basic relations are defined; experimental and calculated dependences for the value of the signal intensity and signal-to-noise ratio and contrast-to-noise ratio are built.

• Реферат
• Введение
• 1 История появления и развития цифровых плоскопанельных детекторов рентгеновского излучения
  • 1.1 Рентгеновский электроннооптический преобразователь. Сравнение его характеристик с характеристиками плоскопанельного детектора
  • 1.2 Цифровые плоскопанельные детекторы рентгеновского излучения.
• 2 Цифровые плоскопанельные детекторы. Методы преобразования рентгеновского излучения
  • 2.1 Прямой метод
  • 2.2 Метод фотопроводимости
    • 2.2.1 Цифровые плоскопанельные детекторы на базе аморфного селена
  • 2.3 Сцинтилляционный метод
• 3 Цифровые плоскопанельные детекторы на базе аморфного кремния со сцинтиллятором на основе йодида цезия
  • 3.1 Структура сцинтиллятора на основе йодида цезия
  • 3.2 Использование аморфного кремния при производстве цифровых плоскопанельных детекторов, его структура и оптические свойства
    • 3.2.1 Структура a-Si:H
    • 3.2.2 Распределение плотности электронных состояний в a-Si:Н
    • 3.2.3 Оптические свойства a-Si:H и c-Si:H
  • 3.3 Цифровые плоскопанельных детекторы на базе аморфного кремния: описание конструкции и процессов записи и считывания
  • 3.4 Определения параметров, позволяющих оценивать качество радиографического изображения. Сравнение качества изображения различных детекторных систем.
• 4 Экспериментальное исследование параметров плоскопанельного детектора
  • 4.1 Оборудование, используемое при проведении эксперимента
  • 4.2 Определение экспериментальных зависимостей величины сигнала и отношений сигнал/шум и контраст/шум при изменении параметров измерений
    • 4.2.1 Определение экспериментальной зависимости величины интенсивности сигнала от напряжения на аноде рентгеновской трубки. Расчет необходимых коэффициентов и расчет значения величины сигнала с помощью аппроксимационной формулы
    • 4.2.2 Определение экспериментальной зависимости величины соотношения сигнал/шум от напряжения на аноде рентгеновской трубки и построение зависимости для SNR – полученной экспериментально и рассчитанной с помощью формулы
    • 4.2.3 Определение характера зависимости для соотношения контраст/шум для образцов стали различной толщины
• 5 Заключение
• Список литературы: