В настоящей работе представлены результаты исследований примесной фотолюминесценции терагерцового и ближнего инфракрасного диапазонов в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, легированными донорной примесью кремния. В спектрах фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне была обнаружена линия излучения, за которую ответственны оптические переходы электронов из основного состояния донорной примеси в квантовых ямах в нижнюю подзону тяжелых дырок в квантовых ямах. Опустошение основного состояния донора благодаря этим переходам позволило наблюдать фотолюминесценцию в терагерцовом диапазоне, связанную с переходами электронов из первой подзоны размерного квантования на основное состояния донора, а также с внутрицентровыми оптическими переходами. Результаты исследования ФЛ в ближнем и дальнем ИК диапазонах дополняют друг друга и хорошо согласуются с теоретическими расчетами.

The results of experimental investigations of impurity-assisted photoluminescence from Si-doped GaAs/AlGaAs quantum wells both in terahertz and near-infrared spectral ranges are presented. The optical electron transitions from impurity ground state to first heavy hole subband in near-infrared spectral range are revealed. The depopulation of the donor ground state due to these transitions allowed us to observe photoluminescence in terahertz spectral range related to electron transitions from the first electron subband to donor ground state as well as to intracenter optical transitions. Experimental results in terahertz and near-infrared spectral ranges are in good agreement with the energy spectrum calculations.