В структурах с туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры фотолюминесценции и межподзонного поглощения света, положение пиков, в которых хорошо согласуется с теоретическим расчетом энергий оптических переходов носителей заряда. Исследовано влияние поперечного электрического поля и температуры на межподзонное поглощение света. Оно обусловлено перераспределением электронов между уровнями размерного квантования и изменением энергетического спектра квантовых ям. Проведена оценка величины изменения показателя преломления в области наблюдаемых межподзонных переходов с использованием соотношений Крамерса-Кронига.

Photoluminescence and intersubband absorption spectra were studied in GaAs/AlGaAs tunnel-coupled quantum well structures. Peak positions in photoluminescence and absorption spectra correlate well with theoretically calculated energies of optical carrier transitions. Influence of transverse electric field and temperature on intersubband absorption was investigated. The observed modification of absorption spectra is attributed to the electron energy spectrum modification and electron redistribution between lower subbands of dimensional quantization. Spectrum of refraction index variation related to the change of intersubband absorption in electric field was calculated using Kramers-Kronig relations.