Данная работа посвящена исследованию оптических явлений в материалах, предназначенных для создания новых фотодетекторов, работающих в среднем инфракрасном диапазоне. В работе исследованы структура с квантовыми ямами второго типа InAs/GaSb и структура с объемным материалом InAsSb. Для первой структуры проведены расчеты энергетических уровней электронов и дырок в квантовых ямах и измерены спектры фотолюминесценции при разных температурах. Для второй структуры проведены расчеты ширины запрещенной зоны InAsSb и измерены спектры фото- и электролюминесценции при разных температурах. Получено хорошее соответствие результатов эксперимента и расчетов.

This work is devoted to investigation of optical phenomena in materials that are promising for creating novel photodetectors that operate in the middle infrared spectral region. In this work sample with type-II quantum wells InAs/GaSb and sample containing InAsSb bulk material were investigated. For the first sample calculations of energy levels of electrons and holes in QWs were completed and photoluminescence spectra under different temperature were obtained. For the second sample calculations of band-gap value of InAsSb were done, PL spectra under different temperature and electroluminescence spectra under 80 K were observed. It can be concluded that experimental results are in good agreement with theoretical calculations.