Детальная информация

Кириленко, Олег Игоревич. Поглощение ИК излучения неравновесными носителями заряда в структурах с квантовыми точками GeSi/Si [Электронный ресурс]: бакалаврская работа / О. И. Кириленко; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Кафедра интегральной электроники. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 924 Кб). — Санкт-Петербург, 2015. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/6567.pdf>.

Дата создания записи: 08.09.2015

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,9 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа представляет собой изучение оптических свойств нелегированных структур с квантовыми точками GeSi/Si. Были исследованы стационарные спектры поглощения и динамика релаксации неравновесных носителей заряда на длине волны пика поглощения. В ходе экспериментов наблюдался динамический аналог эффекта Бурштейна-Мосса. По данным результатов динамики релаксации были вычислены величины приповерхностных изгибов валентной зоны и зоны проводимости на интерфейсе квантовой точки.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 433
За последние 30 дней: 3
Подробная статистика