Исследованы вольт-амперные характеристики структуры ”Pd-анодный оксид-n-InP“. Установлено, что в структуре «Pd-анодный оксид-n-InP» реализуется термотуннельный механизм проводимости. При этом туннелированиетоконосителями потенциального барьера, образующегося на границе оксид−n-InP, реализуется в области низких температур (<180 К). При температурах выше 180 К преобладает термическая проводимость. В экспериментальном диапазоне температур и напряжений анодный оксид ведет себя как омическое сопротивление. Обнаружено сильное влияния водорода на фотоэлектрические характеристики изучаемой структуры, что дает возможность практического применения диодных структур с палладиевым контактом в качестве сенсоров водорода.

Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) structures (Pd-oxide-InP)structure realized thermotunnel conduction mechanism. Thus carriers tunneling potential barrier formed at the oxide-n-InP, is realized at low temperatures (<180 K). At temperatures above 180 K, the thermal conductivity dominates. In the experimental range of temperatures and voltages anodic oxide behaves like an ohmic resistance. Hydrogen strongly influences the structure. You can use the diode structures with palladium contact as hydrogen sensors.