Детальная информация

Название: Возможность применения спектроскопии комбинационного рассеяния света для оценки толщины интерфейсного слоя в сверхрешетках AlN/GaN // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2016. –
Авторы: Панькин Дмитрий Васильевич; Смирнов Михаил Борисович
Организация: Санкт-Петербургский государственный университет; Министерство образования и науки Российской Федерации
Выходные сведения: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2016
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Физика; Физика твердого тела. Кристаллография в целом; спектроскопия; рассеяние света; нитридные сверхрешетки; интерфейсные слои; полярные фононы; диэлектрический континуум; твердые растворы; слабоинтенсивные моды; комбинационное рассеяние света; вековые уравнения (математика); короткопериодные пределы; бинарные структуры; кристаллические нитриды
УДК: 539.2
ББК: 22.37
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: PDF
Язык: Русский
DOI: 10.5862/JPM.242.3
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\32412

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,7 Мб)

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Рассмотрено поведение полярных оптических фононов в четырехслойных периодических системах со слоями GaN, AlN и твердым раствором на их основе. Аналитически установлен вид векового уравнения, описывающего свойства данного типа фононов в системах с различным отношением значений толщины слоев в короткопериодном пределе. Сделан вывод, что введение дополнительного слоя приводит к появлению дополнительных слабоинтенсивных мод в спектрах комбинационного рассеяния, величина частотного расщепления которых зависит от толщины переходного слоя.

The behavior of polar optical phonons in periodic four-layer systems with layers of GaN, AlN and solid solution based on them. Analytically includes a kind of secular equations that describe the properties of this type of phonons in systems with different ratio of the thicknesses of the layers in short-period limit. It is concluded that the introduction of an additional layer leads to additional slabonervnih modes in Raman spectra, the magnitude of frequency splitting which depends on the thickness of the transition layer.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования

stat Количество обращений: 551
За последние 30 дней: 5
Подробная статистика