Детальная информация

Примесная терагерцовая люминесценция в наноструктурах с квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении [Электронный ресурс] / И. С. Махов [и др.]. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 513 КБ). // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки, 2016. – № 4 (253). — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j17-108.pdf>.

Дата создания записи: 20.03.2017

Тематика: Физика; Физика твердого тела. Кристаллография в целом; люминесценция; терагерцевая люминесценция; примесная люминесценция; наноструктуры; квантовые ямы; межзонное фотовозбуждение; фотовозбуждение; полупроводники; спектральные диапазоны; электронно-дырочные пары; оптические переходы

УДК: 539.2

ББК: 22.37

Коллекции: Общая коллекция

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,5 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Представлены результаты экспериментального исследования примесной фотолюминесценции дальнего (терагерцового) и ближнего ИК спектральных диапазонов в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs различной ширины при межзонном фотовозбуждении электронно-дырочных пар. В спектрах фотолюминесценции в дальнем ИК диапазоне обнаружены оптические переходы электронов между первой подзоной размерного квантования и основным состоянием донорной примеси, а также между возбужденным и основным состояниями донорной примеси. Наблюдение этих оптических переходов стало возможным, благодаря опустошению основного состояния донора в квантовой яме за счет излучательных переходов носителей заряда с основного донорного состояния в первую подзону размерного квантования дырок в квантовой яме. Экспериментально показана возможность перестройки длины волны терагерцового излучения структур с легированными квантовыми ямами за счет изменения ширины квантовых ям.

The results of experimental study of the impurity-assisted photoluminescence in far- (terahertz) and near-infrared spectral ranges in n-GaAs/AlGaAs quantum well structures with different well widths under interband photoexcitation of electron-hole pairs have been presented. In the far-infrared photoluminescence spectra the optical electron transitions between the first electron subband and donor ground state as well as between excited and ground donor states were revealed. Observation of these optical electron transitions became possible because of the depopulation of the donor ground state in the quantum well due to the nonequilibrium charge carrier radiative transitions from the donor ground state to the first heavy hole subband. The opportunity to tune the terahertz radiation wavelength in structures with doped quantum wells by changing the quantum well width was demonstrated experimentally.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ФБ СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика