Details

Влияние оже-рекомбинации на концентрацию неравновесных носителей заряда в квантовых ямах InGaAsSb /AlGaAsSb [Электронный ресурс] / М. Я. Винниченко [и др.]. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 686 КБ) // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета = St. Petersburg state polytechnical university journal. Physics and mathematics. Сер.: Физико-математические науки: научное издание / Министерство образования и науки Российской Федерации, 2016. – № 4 (253) [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j17-109.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.5862/JPM.253.6>.

Record create date: 3/20/2017

Subject: Физика; Люминесценция; фотолюминесценция; квантовые ямы; оже-рекомбинации; носители зарядов (физика); неравновесные носители зарядов; концентрация носителей зарядов; межзонная фотолюминесценция; интенсивность накачки (физика); электроны; полупроводниковые лазеры; наноструктуры; полупроводники

UDC: 535.37

LBC: 22.345

Collections: Общая коллекция

Links: DOI

Allowed Actions: Read Download (0.7 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Экспериментально исследованы спектры межзонной фотолюминесценции структур с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb различной ширины. Проведен расчет зависимости концентрации носителей заряда, участвующих в излучательной рекомбинации, от интенсивности накачки. Результаты расчета согласуется с экспериментальной зависимостью интенсивности фотолюминесценции в максимуме спектра от интенсивности накачки. Обнаружена резонансная оже-рекомбинация с участием двух дырок и электрона, которая приводит к значительному уменьшению концентрации носителей заряда. Для повышения эффективности инжекционных полупроводниковых лазеров на длины волн около 3 мкм даны рекомендации по подавлению безызлучательной оже-рекомбинации.

The interband photoluminescence spectra of InGaAsSb/AlGaAsSb quantum wells with different well widths have been experimentally studied. The dependence of the concentration of the charge carriers participating in the radiative recombination on the pumping intensity level was calculated. Results of theoretical calculations appeared to be in good agreement with the experimental relationship between the photoluminescence intensity at spectral maxima and the pumping intensity. The resonant Auger recombination involved two holes and one electron and caused a significant decrease in the charge carrier concentration was detected in one of the samples. Recommendations were made to increase the operating efficiency of semiconductor injection lasers at wavelengths of about 3 μm for suppressing the parasitic nonradiative Auger recombination.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Document usage statistics

stat Document access count: 294
Last 30 days: 9
Detailed usage statistics