Детальная информация

Дюбо, Дмитрий Борисович. Связь объемных и поверхностных эффектов с высотой зарядового барьера в динамическом p–i–n-фотодиоде [Электронный ресурс] / Д. Б. Дюбо, О. Ю. Цыбин. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 637 Кб) // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки, 2018. – Т. 11, № 2 [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://doi.org/10.18721/JPM.11202>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j18-312.pdf>.

Дата создания записи: 22.10.2018

Тематика: Радиоэлектроника; Фотоэлектрические приборы; фотодиоды; динамические фотодиоды; зарядовые барьеры; высота зарядовых барьеров; поверхностные эффекты; объемные эффекты; photodiodes; dynamic photodiodes; charge barriers; height of charge barriers; surface effect; volume effect

УДК: 621.383

ББК: 32.854

Коллекции: Общая коллекция

Ссылки: DOI

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,6 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Проанализированы характеристики микроэлектронного динамического операционного p–i–n-фотодетектора, обусловленные взаимодействием объемных эффектов и адсорбированных частиц на поверхности пленки оксида кремния. Рассмотрены температурные характеристики в режиме светового облучения, аномальные характеристики температурного гистерезиса, процессы в адсорбированном слое и перенос носителей заряда через потенциальный барьер в объеме кремниевой подложки. Обнаружено, что чувствительность прибора по отношению к фототоку нелинейно зависит от температуры.

The characteristics of the microelectronic dynamic operational p–i–n-photodetector have been analyzed. These features are determined by the interaction of volume effects with particles adsorbed on the SiO[2] film surface. The temperature characteristics in the visible light irradiation regime, the anomalous characteristics of the temperature hysteresis, the processes in the adsorbed layer and the charge carriers transport through the potential barrier in the Si substrate bulk were considered.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 79
За последние 30 дней: 5
Подробная статистика