| Card | Table | RUSMARC | |
|
|
Андрианов, Николай Александрович. Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов [Электронный ресурс]: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Андрианов Николай Александрович; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого ; АО "Светлана-Рост" ; науч. рук. А. С. Смирнов. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,28 Мб). — Санкт-Петербург, 2018. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/r18-57.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/r18-57>.Record create date: 10/31/2018 Subject: Плазменная обработка; Полупроводники — Травление; Триоды полупроводниковые полевые UDC: 621.315.592(043.3); 621.794.449(043.3) Collections: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция Links: DOI Allowed Actions: Read Download (0.7 Mb) You need Flash Player to read document Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
В работе исследуются процессы плазменной обработки поверхности GaN в пост-ростовой технологии изготовления полевых HEMT транзисторов на основе гетероперехода AlGaN/GaN. Установлена ключевая роль энергии ионов в модификации поверхности HEMT структур на основе III-нитритов во время плазменных обработок, которые применяются для улучшения характеристик приборов. В работе разработан и создан методами микроэлектроники и плазменного травления планарный энергоанализатор, который позволяет проводить измерения энергий заряженных частиц непосредственно в технологических реакторах без использования камер с дифференциальной откачкой.
Document access rights
| Network | User group | Action | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| FL SPbPU Local Network | All |
|
||||
|
Internet | All |
|
Document usage statistics
|
|
Document access count: 69
Last 30 days: 2 Detailed usage statistics |