| Таблица | Карточка | RUSMARC | |
|
|
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Получены инфракрасные фотоприемники на основе квантовых ям (QWIP) с чувствительностью в средневолновом ИК диапазоне (3 - 5 мкм). Использовалась система InGaAs/AlGaAs. Рост проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Оптимизацией параметров роста была достигнута фоточувствительность в заданном спектральном диапазоне и приемлемая токовая чувствительность.
Quantum wells infrared photodetectors (QWIP) with a sensitivity in the medium infrared range (3 - 5 microns) was obtained. We used the InGaAs / AlGaAs system. The growth was carried out by molecular beam epitaxy. Optimization of the growth parameters of photosensitivity was achieved in a given spectral range and an acceptable current sensitivity.
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
||||
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
||||
|
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
|
|
Количество обращений: 802
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |