Данная работа посвящена исследованию амплитудно-частотных характеристик и временных параметров сверхвысокочастотных фотодетекторов используемых для создания радиофотонных систем. Исследованы СВЧ p-n-фотодетекторы на основе структуры GaAs, полученные методом жидкофазной эпитаксией. Произведена модернизация и ввод в эксплуатацию установки для получения высокочастотных импульсных амплитудно-частотных характеристик фотодетекторов, на основе осциллографа С9-9, проведен цикл измерений показывающих работоспособность данной установки, создан метод оцифровки данных. Получены импульсные характеристики для исследованных фотодетекторов на основе GaAs, а так же импульсного генератора питания полупроводникового лазера, собранного в научно-исследовательской лаборатории ФТИ им. Иоффе. Проведено экспериментальное исследование зависимости импульса фотоотклика данного фотодиода от входных параметров импульсов питания полупроводникового лазера. Произведен теоретический расчет сопротивления полосковой линии с монтированными на ней фотодетекторами при разных конфигурациях подключения при рабочих частотах сигнала.

This project is dedicated to the investigation of the frequency and impulse responses of high speed photodetectors designed for radiophtonic systems. UHF GaAs-based p-n photodetectors fabricated using liquid-phase epitaxy were investigated. A setup for measuring the frequency response of the photodetectors was designed and built, based on the C9-9 oscilloscope. The system was calibrated using a set of test measurements, and a protocol for processing and digitizing the results was developed. Impulse response measurements of the investigated GaAs photodetectors and of a specially built impulse generator for a semiconductor laser were carried out. The dependence of the photoresponse parameters of the photodetectors on the parameters of the driving impulse of the laser was measured. A theoretical calculation of the resistance of a stripline with mounted photodetectors in different configurations and working frequencies.

• АННОТАЦИЯ
• ABSTRACT
• This project is dedicated to the investigation of the frequency and impulse responses of high speed photodetectors designed for radiophtonic systems.
• UHF GaAs-based p-n photodetectors fabricated using liquid-phase epitaxy were investigated. A setup for measuring the frequency response of the photodetectors was designed and built, based on the C9-9 oscilloscope. The system was calibrated using a set of test measurements, and a protocol for processing and digitizing the results was developed. Impulse response measurements of the investigated GaAs photodetectors and of a specially built impulse generator for a semiconductor laser were carried out.
• The dependence of the photoresponse parameters of the photodetectors on the parameters of the driving impulse of the laser was measured.
• A theoretical calculation of the resistance of a stripline with mounted photodetectors in different configurations and working frequencies.
• Оглавление
  • 1. ВВЕДЕНИЕ
  • 2. ТЕОРИЯ
    • 2.1. Внутренний фотоэффект
    • 2.2. Фотоэлектрические свойства p-n перехода.
    • 2.3. Основные свойства СВЧ ФД.
    • 2.4. Конструкции быстродействующих фотоприёмников
      • 2.4.1. ФД Шоттки.
      • 2.4.2. ЛФД.
      • 2.4.3. p-i-n фотодиоды. Структура и основные характеристики.
      • 2.4.4. Фотодиод с двойной обедненной областью.
      • 2.4.5. Фотодиод с частично обедненным поглощающим слоем (PDA)
      • 2.4.6. Униполярный гетерофотодиод (UTC)
    • 2.5. Влияние паразитной индуктивности на характеристики СВЧ ФД монтированного на микрополосковую линию.
  • 3. ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ
    • 3.1. Установка по измерению полуширины импульса фотодиода
    • 3.2. Методика проведения испытания
  • 4. РЕЗУЛЬТАТЫ
  • ЛИТЕРАТУРА