В данной работе исследовалось изменение поглощения излучения терагерцового диапазона в эпитаксиальных слоях нитрида галлия в электрическом поле. В зависимости от поляризации излучения наблюдались различные зависимости модуляции поглощения от приложенного поля. Совместный анализ оптических и электрических измерений позволил получить полевые зависимости подвижности, концентрации электронов и сечения поглощения. Для излучения, поляризованного перпендикулярно приложенному полю, полученные результаты хорошо согласуются с моделью Друде, описывающей поглощение на свободных электронах. В случае, когда излучение поляризовано вдоль приложенного поля, наблюдаются значительные отклонения от модели Друде, требующие более тщательного изучения.

Variation of absorption of terahertz radiation in lateral electric field was investigated in GaN epitaxial layers. Different behaviour of the absorption modulation in electric field was observed for radiation polarized along electric field and perpendicular to it. Joint analysis of optical and transport measurements let us obtain field dependencies of mobility, electron concentration and absorption cross-section. For terahertz radiation polarized perpendicular to the electric field, results are in accordance with Drude model of free electron absorption. Another polarization demonstrates significant deviation that is yet to be studied more thoroughly.