Детальная информация

Серин, Артем Александрович. Особенности формирования мод в полупроводниковых лазерах с широким оптическим волноводом [Электронный ресурс]: бакалаврская работа: 11.03.04 / А. А. Серин; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. А. С. Паюсов. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,70 Мб). — Санкт-Петербург, 2016. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v16-360.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v16-360>.

Дата создания записи: 09.08.2016

Тематика: полупроводниковые лазеры; оптические волноводы; semiconductor lasers; optical waveguides

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Ссылки: DOI

Разрешенные действия: Прочитать Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Работа посвящена исследованию особенностей формирования оптических мод в полупроводниковых лазерных диодах с широким оптическим волноводом. Рассматривается простая модель поглощения на неравновесных носителях, позволяющая объяснить переключение лазерной генерации с возбужденной на фундаментальную моду при росте плотности тока или температуры в торцевых лазерах с широким оптическим волноводом. Приведены экспериментальные данные, которые находятся в согласии с моделью. Результаты работы показывают, что поглощение на свободных носителях оказывает существенное влияние на формирование оптических мод в широких волноводах мощных торцевых лазеров.

The thesis discusses mode forming in large optical waveguides of semiconductor laser diodes. Simple model of free carrier absorption is considered to clarify lasing switch from high-order to fundamental mode in large optical cavity of edge emitting diode with current or temperature increase. Experimental data are shown to be in agreement with the model. Results show that free carrier absorption has significant impact on mode forming in large optical cavities of high power laser diodes.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ФБ СПбПУ Все Прочитать Печать
-> Интернет Все Прочитать Печать

Оглавление

  • Список сокращений
  • Введение
  • 1 Обзор литературы
    • 1.1 Принципы работы и устройство современных торцевых полупроводниковых лазеров
    • 1.2 Факторы ограничивающие мощность современных полупроводниковых лазеров
    • 1.3 Обзор способов подавления паразитных мод высокого порядка в широких и свершироких волноводах.
      • 1.3.1 Оптическая ловушка
      • 1.3.2 Вывод излучения через подложку
      • 1.3.3Лазер с туннельно-связанными волноводами
      • 1.3.4 Волновод с асимметричным расположением активной области
      • 1.3.5 Асимметричный волновод
      • 1.3.6 Дифракционный фильтр оптических мод
      • 1.3.7 Лазер с волноводом оптически связанным с пассивной частью лазерной структуры.
      • 1.3.8 Лазер на основе сверхширокого волновода
  • 2 Основная часть
    • 2.1 Обсуждение теории
    • 2.2 Экспериментальная часть
      • 2.2.1 Образцы, монтаж
      • 2.2.2 Установка измерения дальнего поля
      • 2.2.3 Анализ полученных экспериментальных данных
  • Заключение
  • Списокиспользованых источников

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 98
За последние 30 дней: 2
Подробная статистика