Details

Гайдамака, Алексей Викторович. Электрофизические свойства тонкопленочных образцов системы GeSb [Электронный ресурс]: магистерская диссертация: 11.04.04 / А. В. Гайдамака; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. В. Э. Гасумянц. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 3,57 МБ). — Санкт-Петербург, 2016. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v16-366.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v16-366>.

Record create date: 8/9/2016

Subject: Полупроводники аморфные; Полупроводники стеклообразные; Полупроводниковые гетеропереходы; Пленки тонкие

UDC: 537.311.322(043.3)

Collections: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Links: DOI

Allowed Actions: Read Download (3.6 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Объектами исследования являются материалы, меняющие свое агрегатное состояние - PCM-материалы. Целью данной работы является исследование электронного транспорта и структурных свойств PCM-материалов, анализ воздействия составов и технологии производства на параметры, важные для практического применения, а также улучшение технологий изготовления и подбор наилучших составов для создания ячеек памяти на основе данных материалов. В первой части работы описаны основные свойства, состав и структура PCM-материалов, электронный транспорт в аморфном и кристаллическом состоянии. Во второй части работы приведены схемы экспериментальных установок и их описание, экспериментальные результаты, а также их обсуждение. В процессе работы проведен анализ ряда физических свойств PCM-материалов. Описаны результаты локальных исследований поверхности образцов Ge0.15Sb0.85 различной толщины и в различном фазовом состоянии с помощью атомарно-силового микроскопа. Проведены исследования температурных зависимостей удельного сопротивления и коэффициента термоэдс для образцов Ge0.15Sb0.85 толщиной 60, 600 нм. Измерен коэффициента Нернста-Эттингсгаузена для образца Ge0.15Sb0.85 толщиной 60 нм в кристаллическом состоянии.

The objects of research are materials that change their state of aggregation - PCM-materials. The aim of this work is to study the electron transport, and structural properties of the PCM-materials, analysis of the impact of structures and manufacturing technologies on the parameters that are important for practical applications, and improved manufacturing techniques and the selection of the best compositions to create the memory cells based on these materials. The first part describes the basic properties, composition and structure of PCM-material, electron transport in the amorphous and crystalline state. In the second part of the paper shows the experimental schemes and their description, experimental results and their discussion. In the process, the analysis of a number of physical properties of the PCM-materials. The results of local research sample surface Ge0.15Sb0.85 different thicknesses and in various phase states using atomic-force microscope. Investigations of the temperature dependence of the resistivity and Seebeck coefficient for samples Ge0.15Sb0.85 thickness of 60 to 600 nm. Measured coefficient of the Nernst-Ettinghausen Ge0.15Sb0.85 sample thickness of 60 nm in the crystalline state.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Table of Contents

  • Реферат
  • ВВЕДЕНИЕ
  • 1 Обзор литературы
  • 1.1 Структура материалов системы GeSbTe
    • 1.1.1 Структурные свойства в кристаллической фазе
    • 1.1.2 Структурные свойства в аморфной и жидкой фазах
  • 1.2 Эффект переключения в PCM-материалах
    • 1.3.1 Нелегируемость
    • 1.3.2 Локализованные состояния
    • 1.3.3 Состояния с отрицательной корреляционной энергией электронов
  • 1.5 Электронный транспорт в аморфном состоянии
  • Заключение
  • Постановка задач на магистерскую диссертацию.
  • 2. Экспериментальные установки для измерения температурных зависимостей кинетических коэффициентов
    • 2.1. Измерение удельного сопротивления
      • 2.1.2. Измерение коэффициента термоэдс
      • 2.1.3 Установка для измерения зависимостей Q(T)
  • 3. Результаты экспериментальных исследований и их обсуждение
    • 3.1. Исследованные образцы
    • 3.2 Измерения ВАХ TLM-структур
    • 3.3. Исследования профиля поверхности
    • 3.4. Исследования транспортных свойств
  • Выводы
  • Список использованной литературы

Document usage statistics

stat Document access count: 475
Last 30 days: 10
Detailed usage statistics