В современной микроэлектронике уделяется немало внимания особенностям роста различных полупроводниковых гетероструктур. Немаловажным является изучение способов обработки полученных материалов после завершения всех технологических процессов роста, а также отделение полученных образцов от ростовых подложек. В настоящее время известно немало способов отделения полупроводниковых структур от ростовых подложек, на которых они были выращены. В данной работе будет рассмотрен метод лазерного отделения плёнок GaN от подложки сапфира путём обстрела импульсным CO2-лазером со стороны поверхности плёнки и дальнейшего "приклеивания" образца облученной стороной к временной подложке и отделения от ростовой подложки. Будут рассмотрены основные нюансы и преимущества данного метода по сравнению с ранее изученными методами такими как химическое отделение и «умный рез». Основным критериям сравнения было качество отделяемой плёнки GaN.

In modern microelectronics paid much attention to the peculiarities of the growth of different semiconductor heterostructures. It is also important to study ways of processing the submissions received after the completion of all the processes of growth, as well as the separation of the samples from the growth substrate. At the present time we know many ways to separation of semiconductor substrates on which they were grown. In this work we'll consider a method of laser lift-off of GaN films on sapphire substrates by pulsed CO2-laser from the film surface and further "gluing" of the sample exposed to the side of the temporary substrate and separated from the growth substrate. Basic nuances and advantages will be considered this method as compared to the previously studied methods such as chemical lift-off and the "smart cut". The most basic comparison criteria was the quality detachable film of GaN.