В диссертации рассматривается влияние нанокристаллизации на термоэлектрические свойства тонких пленок на основе дисилицида хрома и тонких лент составов Co4Sb11.6Te0.4и Bi0.5Sb1.5Te3. Описывается методика измерений удельного сопротивления и коэффициента термо-ЭДС в интервале температур 100 - 1000 K. Приводятся данные экспериментальных исследований электронных транспортных свойств при кристаллизации аморфного вещества. Полученные результаты сопоставляются с данными структурного анализа. Экспериментально показано, что фазовые превращения существенно влияют на термоэлектрические свойства исследуемых термоэлектриков. В случае дицилицида хрома и тонких лентCo4Sb11.6Te0.4, изменения, происходящие в материале, положительно влияют на его термоэлектрическую эффективность. Для Bi0.5Sb1.5Te3 установлено, что образцы полученные в результаты быстрой закалки из расплава, в отличие от других исследованных материалов, содержат значительное количество кристаллической фазы.

In the thesis the impact of nanocrystallization on the thermoelectric properties of thin films based on chromium disilicide and thin ribbons of Co4Sb11.6Te0.4and Bi0.5Sb1.5Te3 was examined. The measurement technique of the resistivity and thermoelectric power in range of temperatures 100-1000 K was described. The data of experimental studies of electrinoc transport properties during crystallization of the amorphous material are presented. Obtained results are compared with the data of structural analysis. It was experimantally shown that the phase transformation significantly affect the thermoelectric properties of the materials. In case of chromium disilicide and thin ribbons of Co4Sb11.6Te0.4, the changes occurring in the material has a positive effect of the thermoelectric efficiency. For Bi0.5Sb1.5Te3 it was found that samples obtained from the rapid quenching of the melt, in contrast to other investigated materials, contain significant amount of the crystalline phase.