Цель работы - разработка установки рефлектометрии для контроля зоны роста гетероструктур типа А3В5, выращиваемых методом металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) и разработано техническое задание на её построение. Были реализованы новые подходы: за счет модуляции частоты излучения лазера удалось выделить из общего излучения только излучение отраженного луча лазера; детектирование по двум каналам позволило учесть собственную нестабильность работы лазера; за счет применения оптических фильтров и фокусирующих линз, а также высокой частоты оцифровки с нахождение среднего значения для каждого полупериода, была повышена точность измерения скорости роста подложки. Спроектированная установка удовлетворяет техническому заданию.