Представлены результаты исследования лавинного умножения в наногетероструктуре n-GaSb/Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb/p-GaSb с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb, наногетероструктуре n-GaSb/InAs/p-GaSb и объемной гетероструктуре n-GaSb/n-GaSb/p-GaAlAsSb. В наногетероструктуре с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb наблюдалось лавинное умножение носителей заряда в слабом электрическом поле при воздействии инфракрасного излучения, вызванное ударной ионизацией электронов, разогретых на скачке потенциала в зоне проводимости на границе между барьером Al(As)Sb и первым электронным уровнем Ee1.