?

Детальная информация
Таблица Карточка RUSMARC
Название: Электрофизические свойства метаморфных структур с КЯ InAs/In₀.₇₅Ga₀.₂₅As/In₀.₇₅Al₀.₂₅As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии: магистерская диссертация: 16.04.01
Авторы: Ганбарова Татьяна Шахиновна
Научный руководитель: Рыков Сергей Александрович; Комиссарова Татьяна Александровна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2017
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Индий, арсениды; Фотопроводимость; Полупроводниковые гетеропереходы; метаморфные структуры; молекулярно-пучковая эпитаксия; электрофизические свойства
УДК: 537.311.322(043.3); 621.383.011.2(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 16.04.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-2768
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\40246

Разрешенные действия: –

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Исследованы электрические свойства метаморфных гетероструктур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As и InAs/In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As, выращенными методом МПЭ, в зависимости от их конструкции и условий роста. Максимальные значения подвижности электронов в исследованных структурах составили 85 200 см2/Вс при 77К и 17 500 см2/Вс при 300К. Обнаружен эффект задержанной фотопроводимости, связанный с локализацией носителей заряда на флуктуациях потенциального рельефа КЯ и в In-обогащенных областях высокотемпературных барьеров и КЯ. Обнаружено, что проводимость таких структур определяется двумя каналами: вблизи нижнего и верхнего интерфейсов КЯ.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Оглавление
  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1.1. Основные свойства арсенида индия
    • 1.2. Гетероструктуры InxGa1-xAs/InxAl1-xAs и InAs/InxGa1-xAs/InxAl1-xAs с двумерным электронным газом
      • 1.2.1. Гетеропереходы InGaAs/InAlAs и InAs/InGaAs
      • 1.2.2. Псевдоморфные гетероструктуры InxGa1-xAs/InxAl1-xAs.
      • 1.2.3. Метаморфный буферный слой
      • 1.2.4. Метаморфные гетероструктуры с КЯ InxGa1-xAs/InxAl1-xAs
      • 1.2.5. Метаморфные гетероструктуры с КЯ InAs/InxGa1-xAs/InxAl1-xAs
  • ГЛАВА 2. Методика эксперимента
    • 2.1. Исследованные образцы
    • 2.2. Методы исследования
      • 2.2.1. Электрофизические измерения
  • ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
  • 3.1. Зависимость электрических свойств гетероструктур In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As от конструкции и условий роста метаморфного буферного слоя
    • 3.2. Эффект задержанной фотопроводимости в гетероструктурах с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As
    • 3.3. Влияние условий роста активной области гетероструктур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As на их свойства
    • 3.4. Зависимость электрических и оптических свойств структур с КЯ In0.75Ga0.25As/In0.70Al0.30As от их конструкции.
    • Это связано, по-видимому, с тем, что в случае узкой КЯ уж нельзя говорить от разделении вкладов от нижнего и верхнего интерфейсов КЯ, в данном случае речь идет о неком «усредненном» канале проводимости, на подвижность электронов в котором оказывает си...
  • ГЛАВА 4. Основные результаты и выводы
  • Список литературы

Статистика использования

stat Количество обращений: 616
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика