Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Проведены теоретические расчеты зависимости интенсивности фотолюминесценции в спектральном максимуме от уровня оптической накачки и от концентрации неравновесных носителей заряда для структур с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb. Экспериментально получены и исследованы спектры фотолюминесценции для структур с различной шириной квантовых ям InGaAsSb/AlGaAsSb. Экспериментально получены зависимости интенсивности фотолюминесценции в спектральном максимуме от оптической накачки.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 384
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |