Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Методом локальной катодолюминесценции был изучен результат воздействия имплантации ионов висмута с энергией 710 МэВ на карбид кремния. Был получен глубинный профиль распределения радиационных дефектов. На основании экспериментальных данных и моделирования воздействия имплантации, было установлено, что глубина образования радиационных дефектов превышает глубину проникновения ионов висмута.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- Сокращения
- Введение
- Литературный обзор
- Карбид Кремния
- Основные свойства и характеристики SiC
- Кристаллическая структура и политипизм карбида кремния
- Примеси в карбиде кремния
- Глубокие центры в карбиде кремния
- Катодолюминесценция
- Взаимодействие электронного пучка с образцом
- Особенности катодолюминесценции
- Катодолюминесценция карбида кремния
- Ионная имплантация
- Отжиг ионно-легированных слоёв
- Моделирование имплантации
- Карбид Кремния
- Задача дипломной работы
- Эксперимент
- Установка
- Образцы
- Методика эксперимента
- Результаты и обсуждение
- Моделирование имплантации
- Сопоставление результатов измерений и моделирования
- Литература
Usage statistics
Access count: 609
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |