Проанализированы данные по измерению сопротивления GaN при облучении его ионами 107Ag энергии 200 МэВ. Показано, что зависимость сопротивления от дозы облучения объяснима в рамках модели, предполагающей основным механизмом изоляции образование комплексов из примесного атома и созданного ионным пучком точечного дефекта.