Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Проведено исследование методов формирования профиля маски фоторезистивных слоев, применяемой в технологии «взрывной» литографии. Осуществлена разработка технологии формирования фоторезистивной маски методом контактной фотолитографии для создания омических контактов СВЧ-транзисторов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs. Использовались маски ФП 4-04 мВ и LOR 5B/ФП 4-04 мВ. Нанесение резистов осуществлялось центрифугированием, экспонирование проводилось на установке контактной фотолитографии ЭМ 5026 М с использованием темнопольного хромового шаблона.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Usage statistics
Access count: 1253
Last 30 days: 2 Detailed usage statistics |