Details

Title: Разработка технологии изменения профиля маски фоторезистивных слоев для создания омических контактов СВЧ-транзисторов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs: магистерская диссертация: 22.04.01
Creators: Юдакова Анна Александровна
Scientific adviser: Соловьев Юрий Владимирович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2017
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Полупроводниковые приборы сверхвысокочастотные; Фотолитография; маски фоторезистивных слоев; транзисторы
UDC: 621.383.4(043.3); 776(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 22.04.01
Speciality group (FGOS): 220000 - Технологии материалов
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-3427
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\44523

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Проведено исследование методов формирования профиля маски фоторезистивных слоев, применяемой в технологии «взрывной» литографии. Осуществлена разработка технологии формирования фоторезистивной маски методом контактной фотолитографии для создания омических контактов СВЧ-транзисторов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs. Использовались маски ФП 4-04 мВ и LOR 5B/ФП 4-04 мВ. Нанесение резистов осуществлялось центрифугированием, экспонирование проводилось на установке контактной фотолитографии ЭМ 5026 М с использованием темнопольного хромового шаблона.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 1253
Last 30 days: 2
Detailed usage statistics