Детальная информация

Юдакова, Анна Александровна. Разработка технологии изменения профиля маски фоторезистивных слоев для создания омических контактов СВЧ-транзисторов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs [Электронный ресурс]: магистерская диссертация: 22.04.01 / А. А. Юдакова; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт металлургии, машиностроения и транспорта ; науч. рук. Ю. В. Соловьев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,78 Мб). — Санкт-Петербург, 2017. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v17-3427.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v17-3427>.

Дата создания записи: 13.10.2017

Тематика: Полупроводниковые приборы сверхвысокочастотные; Фотолитография; маски фоторезистивных слоев; транзисторы

УДК: 621.383.4(043.3); 776(043.3)

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Ссылки: DOI

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (1,8 Мб) Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Проведено исследование методов формирования профиля маски фоторезистивных слоев, применяемой в технологии «взрывной» литографии. Осуществлена разработка технологии формирования фоторезистивной маски методом контактной фотолитографии для создания омических контактов СВЧ-транзисторов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs. Использовались маски ФП 4-04 мВ и LOR 5B/ФП 4-04 мВ. Нанесение резистов осуществлялось центрифугированием, экспонирование проводилось на установке контактной фотолитографии ЭМ 5026 М с использованием темнопольного хромового шаблона.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Все Прочитать Печать Загрузить

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 1022
За последние 30 дней: 72
Подробная статистика