В работе исследуются изменения оптических свойств полупроводниковых квантовых точек (ПКТ) InAs захороненных в GaAs (001) в присутствии металлических наночастиц. В первой части работы исследуются ПКТ, заращенные слоем GaAs, выращенного при низкой температуре. Прямое заращивание привело к формированию дислокаций несоответствия, в следствие чего интенсивность фотолюминесценции снизилась на три порядка. В присутствие разделительного слоя GaAs между ПКТ и низкотемпературным GaAs привело к усилению интенсивности ФЛ в два раза относительно образца без разделительного слоя. В то же время спектр ФЛ сместился в область низких энергий. Эти изменения были качественно и количественно описаны туннелированием электронов из ПКТ через GaAs в слой LT-GaAs. Использование разделительного слоя AlAs вместо GaAs сделало барьер туннельно-непрозрачным. В результате форма спектра ФЛ и его интенсивность приблизились к параметрам спектра ФЛ референтного образца без слоя LT-GaAs.