Детальная информация

Название: Исследование влияния предлучевой подготовки на качество планирования в лучевой терапии: бакалаврская работа: 03.03.02
Авторы: Стороженко Любовь Александровна
Научный руководитель: Червяков Александр Михайлович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2017
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: предлучевая подготовка; лучевая терапия; КТ-симулятор; КТ-кривая; числа Хаунсфилда
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 03.03.02
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v17-6447
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\48317

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Настоящая работа относится к предлучевой подготовке как отдельного этапа лучевой терапии. Целью данной работы является исследование влияния предлучевой подготовки на качество планирования в лучевой терапии. Актуальность работы заключается в том, что хотя КТ-симуляторы используются в основном для диагностики заболеваний, для лучевой терапии важна правильная калибровка по КТ-кривой, однако на качество влияет фотоэффект. Проведен анализ отечественных и зарубежных источников для изучения темы предлучевой подготовки, лучевой терапии, КТ-симуляторов, взаимодействия излучения с веществом. На КТ-симуляторе проведена серия сканирований фантома в трех различных режимах. На основании полученных изображений на системе планирования получены соответствия чисел Хаунсфилда электронным плотностям, указанным в сертификате на фантом. Построены КТ-кривые для трех различных режимов, а также стандартная кривая, используемая на системе планирования. Оценено наибольшее отклонение в электронных плотностях кривых относительно стандартной кривой численно и в процентах. Сделан вывод о необходимости учета режима при дозиметрическом планировании и калибровки на тяжелых элементах.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 61
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика