A silicon nanostructure containing self-assembled transverse and longitudinal nanosandwiches was investigated for the de Haas-van Alphen effect at room temperature. The expected theoretical results and the experimental results were noticeably different. The smoothening of the oscillations is due to the high ambient temperatures leading to an increased number of phonons in the lattice and in turn increased carrier scattering, longer relaxation times and smeared/broadened Landau levels. The decreasing magnitude of the dHvA oscillations is due to its dependence on both the increasing magnetic field and the increasing effective carrier mass.

Для эффекта де Гааза-ван Альфена при комнатной температуре исследовалась кремниевая наноструктура, содержащая самосборные поперечные и продольные нанослои. Ожидаемые теоретические результаты и экспериментальные результаты заметно отличались. Сглаживание колебаний связано с высокими температурами окружающей среды, что приводит к увеличению числа фононов в решетке и, в свою очередь, к увеличению рассеяния носителей, увеличению времени релаксации и размытым/расширенным уровням Ландау. Уменьшающаяся величина осцилляции dHvA обусловлена ее зависимостью как от возрастающего магнитного поля, так и от возрастающей эффективной массы носителя.