?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Создание и исследование фотодиодов в средней ИК области спектра (2-5 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Creators: Степанов Евгений Михайлович
Scientific adviser: Яковлев Юрий Павлович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2018
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: фотодиод; двойная гетероструктура; средний ИК диапазон
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 11.03.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-1812
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\54427

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В настоящей работе разработаны и исследованы фотоприёмники на основе гетероструктур InAs/InAs[0.94]Sb[0.06]/InAsSbP/InAs[0.88]Sb[0.12]/InAsSbP, работающие в средней ИК области спектра 2-5 мкм при комнатной температуре. Следует отметить, что токовая монохроматическая чувствительность достигает значений 0.6−0.8A/Вт в спектральном диапазоне λ[max] = 4.0−4.6 мкм, а значения плотности обратных токов достигает значений (1.3−7.5)×10{−2} A/см{2}. При этом обнаружительная способность фотоприёмника достигает (5−8)×10{8} см•Гц{1/2}•Вт{−1}.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Глава 1. Обзор литературы
  • Многокомпонентные твердые растворы на основе соединений А3В5
  • Способы синтеза полупроводниковых структур А3В5
    • Молекулярно-лучевая эпитаксия
    • Жидкофазная эпитаксия
  • Инженерия дизайна приборов на основе соединений А3В5
  • Гомоструктура
    • Варизонная структура
    • Односторонняя гетероструктура
    • Двойная гетероструктура
  • Фотодиоды
  • Глава 2. Технология проведения экспериментов на установке ЖФЭ
  • Описание установки
  • Изначальные материалы и их подготовка
  • Методика получения эпитаксиальных слоев
  • Постростовая обработка
  • Глава 3. Обсуждение экспериментальныхрезультатов
  • Селективный фотоприемник
    • Вольт-амперные характеристики
    • Спектр фоточувствительности
  • Широкополосные фотоприемники
    • Определение положенияp-n-перехода
    • Электрические параметры фотоприемника
  • Глава 4. Безопасность труда
  • Общая оценка условий для проведения исследований
  • Пожарная безопасность
  • Безопасность при работе со сжиженными газами
  • Производственное освещение
  • Электробезопасность
  • Заключение
  • Списоклитературы

Usage statistics

stat Access count: 37
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics