Детальная информация

Степанов, Евгений Михайлович. Создание и исследование фотодиодов в средней ИК области спектра (2-5 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP [Электронный ресурс]: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника / Е. М. Степанов; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. : Ю. П. Яковлев, В. А. Зыков. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,45 Мб). — Санкт-Петербург, 2018. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v18-1812.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v18-1812>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-1812-o.pdf>.

Дата создания записи: 23.10.2018

Тематика: фотодиод; двойная гетероструктура; средний ИК диапазон

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Ссылки: DOI; Отзыв руководителя

Разрешенные действия: Прочитать Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В настоящей работе разработаны и исследованы фотоприёмники на основе гетероструктур InAs/InAs[0.94]Sb[0.06]/InAsSbP/InAs[0.88]Sb[0.12]/InAsSbP, работающие в средней ИК области спектра 2-5 мкм при комнатной температуре. Следует отметить, что токовая монохроматическая чувствительность достигает значений 0.6−0.8A/Вт в спектральном диапазоне λ[max] = 4.0−4.6 мкм, а значения плотности обратных токов достигает значений (1.3−7.5)×10{−2} A/см{2}. При этом обнаружительная способность фотоприёмника достигает (5−8)×10{8} см•Гц{1/2}•Вт{−1}.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
-> Интернет Все Прочитать

Оглавление

  • Глава 1. Обзор литературы
  • Многокомпонентные твердые растворы на основе соединений А3В5
  • Способы синтеза полупроводниковых структур А3В5
    • Молекулярно-лучевая эпитаксия
    • Жидкофазная эпитаксия
  • Инженерия дизайна приборов на основе соединений А3В5
  • Гомоструктура
    • Варизонная структура
    • Односторонняя гетероструктура
    • Двойная гетероструктура
  • Фотодиоды
  • Глава 2. Технология проведения экспериментов на установке ЖФЭ
  • Описание установки
  • Изначальные материалы и их подготовка
  • Методика получения эпитаксиальных слоев
  • Постростовая обработка
  • Глава 3. Обсуждение экспериментальныхрезультатов
  • Селективный фотоприемник
    • Вольт-амперные характеристики
    • Спектр фоточувствительности
  • Широкополосные фотоприемники
    • Определение положенияp-n-перехода
    • Электрические параметры фотоприемника
  • Глава 4. Безопасность труда
  • Общая оценка условий для проведения исследований
  • Пожарная безопасность
  • Безопасность при работе со сжиженными газами
  • Производственное освещение
  • Электробезопасность
  • Заключение
  • Списоклитературы

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 30
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика