Details

Кудрявцева, Ксения Андреевна. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/GaN<O> [Электронный ресурс]: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника / К. А. Кудрявцева; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. Т. А. Гаврикова. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,46 Мб). — Санкт-Петербург, 2018. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v18-1815.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v18-1815>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-1815-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-1815-r.pdf>.

Record create date: 10/16/2018

Subject: Полупроводниковые гетеропереходы

UDC: 537.311.322

Collections: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Links: DOI; Отзыв руководителя; Рецензия

Allowed Actions: Read You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе исследуются электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/GaN<O>. Приводятся результаты экспериментальных исследований спектрального и интегрального распределения фоточувствительности в гетероструктуре Si/GaN<O> с различным содержанием кислорода в пленке GaN<O>. Также приводятся экспериментальные исследования ВАХ и ВЕХ гетероструктур с различным содержанием кислорода в пленке GaN<O>. На основе результатов были исследованы механизмы токопрохождения и формирование фоточувствительности в гетеропереходе Si/GaN<O>.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read Print
-> Internet All Read Print

Document usage statistics

stat Document access count: 21
Last 30 days: 2
Detailed usage statistics