Details

Title: Электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/GaN<O>: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Creators: Кудрявцева Ксения Андреевна
Scientific adviser: Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2018
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Полупроводниковые гетеропереходы
UDC: 537.311.322
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 11.04.04
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Рецензия
DOI: 10.18720/SPBPU/2/v18-1815
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: RU\SPSTU\edoc\53852

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В работе исследуются электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/GaN<O>. Приводятся результаты экспериментальных исследований спектрального и интегрального распределения фоточувствительности в гетероструктуре Si/GaN<O> с различным содержанием кислорода в пленке GaN<O>. Также приводятся экспериментальные исследования ВАХ и ВЕХ гетероструктур с различным содержанием кислорода в пленке GaN<O>. На основе результатов были исследованы механизмы токопрохождения и формирование фоточувствительности в гетеропереходе Si/GaN<O>.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 32
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics