Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В работе исследуются электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/GaN<O>. Приводятся результаты экспериментальных исследований спектрального и интегрального распределения фоточувствительности в гетероструктуре Si/GaN<O> с различным содержанием кислорода в пленке GaN<O>. Также приводятся экспериментальные исследования ВАХ и ВЕХ гетероструктур с различным содержанием кислорода в пленке GaN<O>. На основе результатов были исследованы механизмы токопрохождения и формирование фоточувствительности в гетеропереходе Si/GaN<O>.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 32
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |