Детальная информация

Кудрявцева, Ксения Андреевна. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/GaN<O> [Электронный ресурс]: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника / К. А. Кудрявцева; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. Т. А. Гаврикова. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,46 Мб). — Санкт-Петербург, 2018. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/v18-1815.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v18-1815>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-1815-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/rev/v18-1815-r.pdf>.

Дата создания записи: 16.10.2018

Тематика: Полупроводниковые гетеропереходы

УДК: 537.311.322

Коллекции: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Ссылки: DOI; Отзыв руководителя; Рецензия

Разрешенные действия: Прочитать Для чтения документа необходим Flash Player

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В работе исследуются электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si/GaN<O>. Приводятся результаты экспериментальных исследований спектрального и интегрального распределения фоточувствительности в гетероструктуре Si/GaN<O> с различным содержанием кислорода в пленке GaN<O>. Также приводятся экспериментальные исследования ВАХ и ВЕХ гетероструктур с различным содержанием кислорода в пленке GaN<O>. На основе результатов были исследованы механизмы токопрохождения и формирование фоточувствительности в гетеропереходе Si/GaN<O>.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать
-> Интернет Все Прочитать Печать

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 23
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика