В данной работе описывается технология выращивания нанослоев железо-иттриевого граната (Y[3]Fe[5]O[12] или YIG) методом молекулярно-лучевой эпитаксии, а также особенности дифракционных картин и рельефа полученных наноструктур. Тонкие пленки железо-иттриевого граната благодаря своим магнитным свойствам и хорошей проводимости спиновых волн получили широкое применение в области спиновой наноэлектроники. Для успешного использования выращенные нанопленки должны иметь хорошее кристаллическое качество и малую толщину. Поиск подходящих условий роста пленки и анализ полученных результатов и есть основная цель этой работы. В качестве материала подложки использовался галлий-гадолиниевый гранат (Gd[3]Ga[5]O[12] или GGG), так как его кристаллическая решетка практически идентична решетке YIG. Рост проводился вдоль направления (111) при температуре 800-1000 градусов Цельсия и давлении кислорода 0.02 мбар. Толщина выращенной пленки 10 нм. Далее последовало исследование образца с помощью дифракции быстрых электронов и атомно-силового микроскопа. Интерпретация результатов сканирования позволила сделать вывод, что пленка обладает высокой гладкостью поверхности.