Quantum dots are novel semiconductor nanostructures that show great potential to be the future of a wide range of nanoscale optoelectronic device applications like photodetectors, solar cells and lasers. Self-assembled InAs QDs grown in a GaAs matrix are proposed to be the primary elements for single and entangled photon sources used in quantum cryptography and quantum information processing. In order to incorporate quantum dots into optoelectronic and nanophotonic applications, they need to be fabricated close to the device surface. Generally, a semiconductor-capping layer is overgrown on the quantum dots to stabilize them and minimize surface effects. The purpose of this thesis is to investigate the effects of a GaAs capping layer on the optical properties of the InAs quantum dots. The interaction between the zero-dimensional quantum dot states and surface states are studied on close-to-surface individual quantum dots that have well-defined electronic structure. Capping the QDs has a significant effect on the structural and optical properties. The influence the capping layer of varying thickness on the optical properties of QDs has been experimentally investigated using low-temperature photoluminescence spectroscopy, micro-photoluminescence spectroscopy and time-resolved photoluminescence spectroscopy.

Квантовые точки являются перспективным материалом для создания таких приборов наноэлектроники как фотоприемники, солнечные элементы и лазеры. Самоорганизованные квантовые точки InAs выращенные в матрице GaAs могут стать основным материалом для создания однофотонного и многофотонного источника, используемого в криптографии. Для внедрения таких структур их необходимо растить на поверхности образцов. Однако как правило квантовые точки после роста заращивают материалом матрицы GaAs. Данная работа посвящена анализу влияния данного покровного слоя на оптические свойства квантовых точек. Помимо этого исследовано влияние концентрации квантовых точек на структурные и оптические свойства квантовых точек. В качестве методик характеризации образцов использовались такие методики как низкотемпературная фотолюминесценция (в том числе микрофотолюминесценция и времяразрешенная фотолюминесценция), SEM и AFM спектроскопия.