Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения с использованием синхротронного излучения был изучен элементный состав и валентная зона приповерхностного слоя пластины n-GaAs (100) до и после облучения и модификации пучком ионов Ar+ с энергией 2,5 кэВ. Было выявлено изменение типа проводимости с n- на p-тип в облученном слое толщиной несколько нм. Эффект проявляется в сдвигах энергетических уровней в атоме и края валентной зоны на величину сопоставимую с шириной запрещенной зоны. Предположительно, изменение типа проводимости вызвано точечными антиструктурными дефектами Ga вызванными ионной бомбардировкой. Показана возможность формирования локального p-n-наноперехода на поверхности GaAs с помощью ионного пучка без использования литографических технологий.

• СОДЕРЖАНИЕ