?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Исследование процессов селективного жидкостного травления квантово-размерных гетеростуктур на основе арсенида галлия: выпускная квалификационная работа магистра: 22.04.01 - Материаловедение и технологии материалов ; 22.04.01_01 - Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники
Creators: Антонова Анастасия Витальевна
Scientific adviser: Соловьев Юрий Владимирович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Полупроводниковые гетеропереходы; Травление металлов; Галлий, арсенид; жидкостное химическое травление; селективность травления; мезаструктура; профиль травления; полирующие травители
UDC: 621.794.4(043.3); 537.311.322(043.3); 661.868.1(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 22.04.01
Speciality group (FGOS): 220000 - Технологии материалов
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-1213
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать)
Record key: ru\spstu\vkr\1765

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа посвящена исследованию процессов селективного жидкостного травления эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров. В работе приведен аналитический обзор литературных данных касательно механизма жидкостного химического травления, изучены и выбраны виды травителей, концентрации и скорости травления структур, проведены измерения глубины травления с помощью профилометра, оценены профили травления.

The work is devoted to the study of selective liquid etching of epitaxial heterostructures AlGaAs/InGaAs/GaAs to create high-power semiconductor lasers. The paper presents analytical review of literature data regarding the mechanism of liquid chemical etching, are studied and selected types of etchants, concentration and speed of etching of the structures, measurements of the depth of etching using a profilometer, the estimated profiles of etching.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print
Internet Authorized users SPbPU Read Print
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 22
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics