?

Детальная информация
Таблица Карточка RUSMARC
Название: Исследование формирования затворов монолитных интегральных схем на основе нитрида галлия: выпускная квалификационная работа бакалавра: 28.03.01 - Нанотехнологии и микросистемная техника ; 28.03.01_01 - Технологии материалов и изделий микросистемной техники
Авторы: Цверкун Алена Сергеевна
Научный руководитель: Соловьев Юрий Владимирович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт металлургии, машиностроения и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: СВЧ транзистор на основе гетероструктуры AlGaN/GaN; электронно-лучевая литография; затворы СВЧ транзисторов; microwave transistor based on AlGaN/GaN heterostructure; electron-beam lithography; gate of uhf transistors
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 28.03.01
Группа специальностей ФГОС: 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-1660
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\1156

Разрешенные действия: –

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе изложена сущность создания затворов микронных размеров для СВЧ монолитных интегральных схем и HEMT транзисторов на основе нитрида галлия с использованием электронно-лучевой литографии. Определены возможности изготовления минимальных затворов на установке электронно-лучевой литографии.

This graduation work describes the essence of creating micron-sized gates for microwave monolithic integrated circuits and gallium nitride-based HEMT transistors using electron beam lithography. The possibilities of manufacturing minimal gates on the installation of electron-beam lithography are determined.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 26
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика