Details

Стручков, Андрей Иванович. Накопление радиационных повреждений и деградация проводимости GaN при облучении ускоренными ионами [Электронный ресурс] = Accumulation of radiation damage and conductivity degradation of GaN during ion irradiation: выпускная квалификационная работа магистра: 16.04.01 - Техническая физика ; 16.04.01_02 - Физика структур пониженной размерности / А. И. Стручков; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. А. И. Титов. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,6 Мб). — Санкт-Петербург, 2019. — Загл. с титул. экрана. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/vr19-1683.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-1683>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-1683-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-1683-r.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-1683-a.pdf>.

Record create date: 9/18/2019

Subject: нитрид галлия; ионная имплантация; радиационные повреждения; инженерия дефектов; деградация проводимости; химические эффекты; комбинированное облучение; gallium nitride; ion implantation; radiation damage; defect engineering; conductivity degradation; chemical effects; combined irradiation

Collections: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция

Links: DOI; Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований

Allowed Actions: Read Download (1.6 Mb) You need Flash Player to read document

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа посвящена исследованию физических принципов накопления дефектов в решетке нитрида галлия при воздействии ионных облучений с различными параметрами. Рассмотрен процесс деградации электрической проводимости эпитаксиальных слоев GaN при облучении ионами Au, Ag, Ni с энергиями ~ 100 МэВ, выполнено математическое моделирование данного процесса, на основе чего сделан вывод о вкладе электронных и ядерных потерь энергии ионов в явление роста сопротивления. Произведено сравнение накопления устойчивых структурных повреждений при облучении ионами Ne и F с энергиями 1.3 и 3.2 кэВ/а.е.м. с целью определения роли химических эффектов при облучении ионами фтора. Изучен процесс последовательного облучения GaN ионами F различных энергий, показана некоммутативность такого облучения, сделан вывод о физическом механизме образования насыщения уровня разупорядочения в объемном максимуме дефектов при облучении GaN легкими ионами.

The work contains a study of physical principles of radiation damage accumulation in GaN under ion irradiation with various parameters. The electrical conductivity degradation of epitaxial GaN layers is studied after irradiation of Au, Ag, Ni ions with ~ 100 MeV energies, and this process is mathematically modelled. The conclusion is made about the contribution of electron and nuclear ion energy losses to the resistance increase. Stable damage accumulation is compared for Ne and F ions irradiation with 1.3 keV/amu and 3.2 keV/amu energies. The combined irradiation of F ions with different energies is studied. Such process is shown to be noncommutative, and the physical mechanism of disorder level saturation in bulk defect maximum during light ion irradiation of GaN is discussed.

Document access rights

Network User group Action
FL SPbPU Local Network All Read Print Download
-> Internet All Read Print Download

Document usage statistics

stat Document access count: 15
Last 30 days: 2
Detailed usage statistics