Исследованы модификации свойств алмазоподобных пленок, облученных атомарными P+ и молекулярными PF4+ ионами методом комбинационного рассеяния света при возбуждении лазером с различными длинами волн от 244 нм до 785 нм. В экспериментальных спектрах наблюдались основные пики: G и D-пик, которые характеризуют различные особенности пленок. Обнаружены различия в смещении положений пиков для случая пленок, облучавшихся различными ионами. Более быстрый спад отношения D и G пиков свидетельствует о более упорядоченной структуре пленки. Исследованные пленки, облучавшиеся молекулярными ионами PF4+, имели более упорядоченную структуру по сравнению с пленками, облучавшимися атомарными ионами P+.

The Raman spectra of a wide range of disordered and amorphous carbons have been measured under excitation from 785 to 244 nm. Structural damage formation in Si irradiated by atomic (P + ) and molecular (PF+ 4 ) ions is experimentally studied.