Данная работа представляет собой исследование омического контакта к транзисторной структуре на основе нитрида галлия. Собраны литературные данные о формировании, свойствах и принципе работы омических контактов. Описан полный цикл технологических операций по формированию омического контакта. Проведены эксперименты по оптимизации режимов термического отжига.

This work is a study of the ohmic contact to the transistor structure based on gallium nitride. Collected literature data on the formation, properties and working principle of ohmic contacts. A complete cycle of technological operations for the formation of an ohmic contact is described. Experiments were carried out to optimize the thermal annealing regimes.