В ходе работы ёмкостными методами был исследован p+-n0-n+ диод на основе GaN. Из спектров нестационарной спектроскопии глубоких уровней были обнаружены две глубокие ловушки, связанные с особенностями эпитаксиального роста GaN материалов. Также из измерений адмиттанс спектроскопии была обнаружена мелкая низкотемпературная ловушка, ранее наблюдаемая только в спектрах фотолюминесценции. Эта ловушка предположительно связана с образованием в процессе роста методом МОГФЭ комплекса вакансии азота и атома водорода.

In this work, a p+-n0-n+ diode based on GaN was investigated by capacitance techniques. From DLTS measurements two well-known deep levels were found. Also, shallow donor level from admittance spectra was found at low temperature, which was observed previously only in the photoluminescence spectra. Presumably, this trap is related to the complex of nitrogen vacancy and a hydrogen atom, that was formed during the MOCVD epitaxial growth.